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TC55B4257P-15

更新时间: 2024-01-19 02:51:58
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 282K
描述
IC 256K X 4 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC55B4257P-15 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:40 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.45 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55B4257P-15 数据手册

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