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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 34.9 mm | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX9 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.45 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC559128AJ-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 9 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36, Static RAM |
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| TC559128AJ-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 9 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36, Static RAM |
|
| TC55A | CDE |
获取价格 |
Axial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors |
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| TC55B328J-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
|
| TC55B328J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
|
| TC55B328J-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
|
| TC55B328P-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM |
|
| TC55B328P-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM |
|
| TC55B328P-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM |
|
| TC55B329J-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 9 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM |
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