是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.3 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.87 |
最长访问时间: | 10 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 40 mm | 内存密度: | 294912 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.45 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55B329P-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM |
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TC55B417J-10 | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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TC55B417J-12 | TOSHIBA |
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IC 16K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM |
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TC55B417P-10 | TOSHIBA |
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IC 16K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM |
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TC55B417P-12 | TOSHIBA |
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IC 16K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM |
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TC55B4256J-15 | TOSHIBA |
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IC 256K X 4 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
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TC55B4256J-20 | TOSHIBA |
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IC 256K X 4 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
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TC55B4257J-12 | TOSHIBA |
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IC 256K X 4 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM |
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TC55B4257J-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 4 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM |
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TC55B4257P-15 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 4 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM |
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