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TC55B417P-10

更新时间: 2024-02-03 04:13:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
IC 16K X 4 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24, Static RAM

TC55B417P-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.86
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:29.8 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.45 mm最大待机电流:0.01 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

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