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TC55B328J-12

更新时间: 2024-11-06 20:47:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 156K
描述
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM

TC55B328J-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
针数:28Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.42 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.7 mmBase Number Matches:1

TC55B328J-12 数据手册

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