是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.81 | 最长访问时间: | 12 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.42 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55B328J-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM | |
TC55B328P-10 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55B328P-12 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55B328P-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55B329J-10 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | |
TC55B329J-12 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | |
TC55B329J-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | |
TC55B329P-10 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | |
TC55B329P-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 9 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | |
TC55B417J-10 | TOSHIBA |
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