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SVS60R190FJDD4

更新时间： 2024-03-03 10:09:47

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJD-3L

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数据手册

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SVS60R190FJDD4 数据手册

士兰微电子

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 说明书

典型特性曲线（续）

图 13-1. 最大安全工作区域(SVS60R190FJD/FD4)

10²

图 13-2. 最大安全工作区域(SVS60R190DD4)

10²

10µs

100µs

10¹

10⁰

100µs

1ms

10ms

10⁰

此区域工作受限于

R_DS(ON)

10^-1

10^-2

注: T_C=25°C

10⁰

10^-2

10²

10³

10^-1

10¹

10²

10³

10^-1

10⁰

10¹

漏源电压- V_DS(V)

图 13-4. 最大安全工作区域

(SVS60R190T/S/KD4)

图 13-3. 最大安全工作区域(SVS60R190L8AD4)

10²

10¹

10⁰

10µs

100µs

1ms

10ms

10¹

10⁰

100µs

1ms

10ms

此区域工作受限于

R_DS(ON)

10^-1

10^-2

10^-1

10^-2

注: T_C=25°C

10⁰

注: T_C=25°C

10⁰

10²

10³

10²

漏源电压- V_DS(V)

10³

10^-1

10¹

10^-1

10¹

漏源电压- V_DS(V)

图 13-5. 最大安全工作区域

(SVS60R190P7/PND4)

图14-1. 耗散功率vs.温度(SVS60R190FJD/FD4)

10²

10¹

10⁰

10µs

100µs

1ms

10ms

此区域工作受限于

R_DS(ON)

10^-1

10^-2

注: T_C=25°C

10⁰

10²

10³

10^-1

10¹

100 125 150 175

漏源电压- V_DS(V)

温度 – T_C(°C)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 17 页第 7 页

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