士兰微电子
SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 说明书
20A, 650V 超结 MOS功率管
2
描述
SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 应用广泛。如,适用于
硬/软开关拓扑。
1
1
2
3
TO-220FJD-3L
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
D(2)
G(1)
S(3)
S(3)
S(3)
1
3
DFN-4-8x8x0.85-2.0
特点
TO-252-2L
20A,650V,RDS(on)(typ.)=0.19@VGS=10V
创新高压技术
1
2
1
低栅极电荷
2
3
3
TO-220-3L
TO-220F-3L
较强的雪崩能力
较强的 dv/dt 能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合 RoHS 环保标准
关键特性参数
参数
VDS
参数值
650
单位
V
2.0~4.0
0.24
80
V
VGS(th)
RDS(on)
,
max.
A
ID.pulse
Qg.typ.
31
nC
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
65R240FDD4
65R240D4
65R240D4
65R240TD4
65R240FD4
环保等级
无卤
包装方式
料管
SVS65R240FJDD4
SVS65R240DD4TR
SVS65R240L8AD4TR
SVS65R240TD4
TO-220FJD-3L
TO-252-2L
无卤
编带
DFN-4-8x8x0.85-2.0
TO-220-3L
无卤
编带
无铅
料管
SVS65R240FD4
TO-220F-3L
无卤
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.1
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