士兰微电子
SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 说明书
14A, 650V 超结 MOS功率管
描述
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SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4
N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 应用广泛。如,适用于硬/
软开关拓扑。
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TO-220FJD-3L
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
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14A,650V,RDS(on)(typ.)=0.24@VGS=10V
创新高压技术
3
TO-252-2L
TO-220F-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的 dv/dt 能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
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TO-263-2L
TO-220-3L
无铅管脚镀层
符合 RoHS 环保标准
关键特性参数
参数
VDS
参数值
650
单位
V
2.0~4.0
0.28
56
V
VGS(th)
RDS(on)
,
max.
A
ID.pulse
Qg.typ.
26
nC
产品规格分类
产品名称
封装形式
TO-220FJD-3L
TO-252-2L
TO-220F-3L
TO-220-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
打印名称
65R280FDD4
65R280D4
环保等级
无卤
包装方式
料管
SVS65R280FJDD4
SVS65R280DD4TR
SVS65R280FD4
SVS65R280TD4
SVS65R280SD4
SVS65R280SD4TR
无卤
编带
65R280FD4
65R280TD4
65R280SD4
65R280SD4
无卤
料管
无卤
料管
无卤
料管
无卤
编带
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.1
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