士兰微电子
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书
11A, 650V 超结 MOS功率管
描述
2
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N 沟道增强型高压功率 MOSFET
采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损
耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 应用广泛。如,适用于硬/软
开关拓扑。
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
11A,650V,RDS(on)(typ.)=0.32@VGS=10V
创新高压技术
1
3
1
2
TO-220FJ-3L
TO-252-2L
3
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的 dv/dt 能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
1
1
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3
3
TO-220FJD-3L
TO-220F-3L
无铅管脚镀层
符合 RoHS 环保标准
关键特性参数
参数
VDS
参数值
650
单位
V
2.5~4.5
0.38
44
V
VGS(th)
RDS(on)
,
max.
A
ID.pulse
Qg.typ.
20
nC
产品规格分类
产品名称
封装形式
TO-220FJ-3L
TO-220FJD-3L
TO-220F-3L
TO-252-2L
打印名称
65R380FJD4
65R380FDD4
65R380FD4
65R380D4
环保等级
无卤
包装方式
料管
SVS65R380FJD4
SVS65R380FJDD4
SVS65R380FD4
SVS65R380DD4TR
无卤
料管
无卤
料管
无卤
编带
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.1
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