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SVS65R380DD4

更新时间: 2024-03-03 10:09:28
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
13页 651K
描述
TO-252-2L

SVS65R380DD4 数据手册

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士兰微电子  
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书  
11A, 650V 超结 MOS功率管  
描述  
2
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N 沟道增强型高压功率 MOSFET  
采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损  
耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 应用广泛。如,适用于硬/软  
开关拓扑。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
11A650VRDS(on)(typ.)=0.32@VGS=10V  
创新高压技术  
1
3
1
2
TO-220FJ-3L  
TO-252-2L  
3
低栅极电荷  
较强的雪崩能力  
较强的 dv/dt 能力  
较高的峰值电流能力  
100%雪崩测试  
1
1
2
2
3
3
TO-220FJD-3L  
TO-220F-3L  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
650  
单位  
V
2.5~4.5  
0.38  
44  
V
VGS(th)  
RDS(on)  
max.  
A
ID.pulse  
Qg.typ.  
20  
nC  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-220FJ-3L  
TO-220FJD-3L  
TO-220F-3L  
TO-252-2L  
打印名称  
65R380FJD4  
65R380FDD4  
65R380FD4  
65R380D4  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
SVS65R380FJD4  
SVS65R380FJDD4  
SVS65R380FD4  
SVS65R380DD4TR  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
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