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SVS60R190P7D4

更新时间： 2024-03-03 10:09:47

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士兰微 - SILAN		/
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17页	727K
描述
TO-247-3L

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SVS60R190P7D4 数据手册

士兰微电子

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 说明书

20A, 600V 超结 MOS功率管

描述

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 沟道增强

型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低

的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提

高热行为。

TO-220FJD-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

TO-220F-3L

此外，SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 应用广

泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

D(2)

G(1)

S(3)

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-252-2L

特点

TO-262-3L



20A，600V，R_DS(on)(typ.)=0.165@V_GS=10V

创新高压技术

TO-263-2L

TO-220-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

TO-247-3L

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-3P

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

600

单位

2.0~4.0

0.19

V_GS(th)

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

60R190FDD4

60R190FD4

60R190D4

60R190TD4

60R190D4

环保等级

无卤

包装方式

TO-220FJD-3L

TO-220F-3L

TO-252-2L

料管

编带

料管

编带

料管

SVS60R190FJDD4

SVS60R190FD4

SVS60R190DD4TR

SVS60R190L8AD4TR

SVS60R190TD4

SVS60R190SD4

SVS60R190SD4TR

SVS60R190KD4

无卤

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-220-3L

无卤

TO-263-2L

无卤

TO-263-2L

无卤

TO-262-3L

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 17 页第 1 页

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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