士兰微电子
SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 说明书
11A,600V 超结 MOS功率管
描述
2
SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率
MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 应用广泛。如,适用于
硬/软开关拓扑。
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
11A,600V,RDS(on)(typ.)=0.3@VGS=10V
创新高压技术
1
1
2
3
2
3
TO-220FJH-3L
TO-220FJD-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的 dv/dt 能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
1
3
DFN-4-8x8x0.85-2.0
TO-252-2L
无铅管脚镀层
符合 RoHS 环保标准
关键特性参数
参数
VDS
参数值
600
单位
V
2.0~4.0
0.36
44
V
VGS(th)
RDS(on)
,
max.
A
ID.pulse
Qg.typ.
27
nC
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
6036FJHE3
60R360FDE3
60R36DE3
60R360E3
环保等级
无卤
包装方式
料管
SVS60R360FJHE3
SVS60R360FJDE3
SVS60R360DE3TR
SVS60R360L8AE3TR
TO-220FJH-3L
TO-220FJD-3L
TO-252-2L
无卤
料管
无卤
编带
DFN-4-8x8x0.85-2.0
无卤
编带
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.3
共 10 页 第 1 页