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SUM40N02-12P-E3

更新时间： 2024-02-07 14:55:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 66K
描述
TRANSISTOR 40 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

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SUM40N02-12P-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUM40N02-12P-E3 数据手册

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SUM40N02-12P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Junction Temperature  
D Optimized for High-Side Synchronous Rectifier  
D 100% Rg Tested  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
Qg (Typ)  
a
0.012 @ V = 10 V  
40  
GS  
20  
7.5  
a
0.026 @ V = 4.5 V  
GS  
40  
APPLICATIONS  
D Desktop or Server CPU Core  
D Game Station  
D
TO-263  
DRAIN connected to TAB  
G
G
D S  
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUM40N02-12P  
SUM40N02-12P—E3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
V
A
"20  
a
T
= 25_C  
= 100_C  
40  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
a
T
40  
C
Pulsed Drain Current  
I
90  
DM  
c
T
= 25_C  
83  
C
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
d
T
A
= 25_C  
3.75  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
d
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
Junction-to-Case  
R
1.8  
Notes  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 72111  
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
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 		N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
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 		N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
SUM40UF SSDI

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 		0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER

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