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STWA40N95K5

更新时间： 2023-12-20 18:45:24

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247长引线封装

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STWA40N95K5 数据手册

STWA40N95K5

Electrical characteristics

Figure 9: Normalized gate threshold voltage vs

temperature

Figure 8: Capacitance variations

Figure 10: Normalized on-resistance

Figure 11: Normalized V(BR)DSS vs temperature

GIPD121120141039FSR

GIPD121120141041FSR

RDS(on)

V(BR)DSS

(norm)

1.12

2.6

VGS= 10V

ID= 1mA

1.08

1.04

1.00

0.96

2.2

1.8

1.4

0.6

0.2

0.92

0.88

-50

100

-50

100

Tj(°C)

Figure 13: Source-drain diode forward

characteristics

Figure 12: Output capacitance stored energy

DocID028207 Rev 1

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