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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS80H100CY
STPS80H100CY PDF预览

STPS80H100CY

更新时间： 2024-02-27 20:43:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压PC高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS80H100CY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：ISOTOP包装说明：PLASTIC, ISOTOP-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：31 weeks风险等级：2.04
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.89 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4JESD-609代码：e4
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：20 µA
反向测试电压：100 V子类别：Other Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS80H100CY 数据手册

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STPS80H100CY  
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
PRELIMINARY DATASHEET  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 40 A  
100 V  
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.70 V  
FEATURES AND BENEFITS  
HIGH REVERSE VOLTAGE  
A2  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW LEAKAGE CURRENT  
K
A1  
HIGH TEMPERATURE  
LOW THERMAL RESISTANCE  
Max247  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifier suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequencyDC to DC converters.  
Packaged in Max247, this device is intended for  
use in high frequency computer and telecom  
converters.  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
100  
50  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
IFSM  
Average forward current  
Tc = 155°C  
δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
40  
80  
A
Surgenon repetitive forward  
current  
tp = 10 ms sinusoidal  
400  
A
µ
IRRM  
Tstg  
Tj  
Repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 2 s square F = 1kHz  
2
A
- 65 to + 175  
175  
°C  
°
C
Maximum operatingjunction temperature*  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runawayconditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(  
j−a)  
November 1999 - Ed: 1B  
1/4  
1234

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STPS80H100CY 替代型号

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