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STPS8L30B-TR PDF预览

STPS8L30B-TR

更新时间： 2024-10-31 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS8L30B-TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：1.44Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.4 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

STPS8L30B-TR 数据手册

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STPS8L30B  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
2
4
(TAB)  
3
IF(AV)  
VRRM  
8 A  
30 V  
4
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.40 V  
2
3
FEATURES AND BENEFITS  
1
NC  
LOW COST DEVICE WITH LOW DROP FOR-  
WARD VOLTAGE FOR LESS POWER  
DISSIPATION AND REDUCED HEATSINK  
DPAK  
OPTIMIZED CONDUCTION/REVERSE LOSSES  
TRADE-OFFWHICH LEADS TOTHE HIGHEST  
YIELD IN THE APPLICATIONS  
HIGH POWER SURFACE MOUNT MINIATURE  
PACKAGE  
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited to Switched Mode  
Power Supplies andhigh frequencyDC to DC con-  
verters.  
Packaged in DPAK, this device is especially in-  
tended for use as a Rectifier at the secondary of  
3.3V SMPS or DC/DC units.  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values)  
Parameter  
Value  
Unit  
V
VRRM  
Repetitivepeak reverse voltage  
30  
7
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Average forward current  
Tc = 135°C δ = 0.5  
8
A
Surge non repetitiveforward current tp = 10 ms Sinusoidal  
75  
1
A
Repetitivepeak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperaturerange  
tp = 2 µs F = 1kHz square  
tp = 100µs square  
A
2
A
- 65 to + 150  
150  
°C  
°
C
Tj  
Maximum junctiontemperature  
Critical rate of rise of reverse voltage  
µ
V/ s  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runawaycondition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
October 1998 - Ed: 4A  
1/4  
1234

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STPS8L30B-TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STPS8L30B STMICROELECTRONICS

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