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STP100N6F7

更新时间： 2024-09-10 14:58:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
13页	516K
描述
N沟道60 V、4.7 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装

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STP100N6F7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	22 weeks
风险等级：	1.68	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0056 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STP100N6F7 数据手册

STP100N6F7

N-channel 60 V, 4.7 mΩ typ.,100 A STripFET™ F7

Power MOSFET in a TO-220 package

Datasheet

production data

Features

Order code

V_DSR_DS(on)max.

5.6 mΩ

I_D

P_TOT

STP100N6F7 60 V

100A 125 W

TAB

• Among the lowest R_DS(on)on the market

• Excellent figure of merit (FoM)

• Low C_rss/C_issratio for EMI immunity

• High avalanche ruggedness

TO-220

Applications

• Switching applications

Description

Figure 1. Internal schematic diagram

This N-channel Power MOSFET utilizes

STripFET™ F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low on-

state resistance, while also reducing internal

capacitance and gate charge for faster and more

efficient switching.

'ꢅꢆꢇꢈ7$%ꢉ

*ꢅꢁꢉ

6ꢅꢊꢉ

$0ꢀꢁꢂꢃꢄYꢁ

Table 1. Device summary

Order code

Marking

100N6F7

Package

Packaging

STP100N6F7

TO-220

Tube

December 2014

DocID027212 Rev 2

1/13

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

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