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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 270K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 40V - 0.0036 ohm - 100A TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.88 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1400 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP1010TAB-50 | ETC |
获取价格 |
32-Bit Microprocessor |
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| STP1012PGA-110 | ETC |
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32-Bit Microprocessor |
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| STP1012PGA-70A | ETC |
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32-Bit Microprocessor |
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| STP1012PGA-85 | ETC |
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32-Bit Microprocessor |
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| STP1020APGA-50 | ETC |
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32-Bit Microprocessor |
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| STP1020APGA-60 | ETC |
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32-Bit Microprocessor |
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| STP1020PGA-50 | ETC |
获取价格 |
32-Bit Microprocessor |
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| STP1021APGA-75 | ETC |
获取价格 |
32-Bit Microprocessor |
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| STP1021APGA-85 | ETC |
获取价格 |
32-Bit Microprocessor |
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| STP1030ABGA-167 | ETC |
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64-Bit Microprocessor |
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