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STP10N60M2

更新时间： 2024-09-15 14:57:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
27页 609K
描述
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装

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STP10N60M2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.7雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：85 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP10N60M2 数据手册

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STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2  
Datasheet  
N-channel 600 V, 0.55 Ω typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET  
in a D²PAK, DPAK and TO-220 packages  
Features  
TAB  
TAB  
V
@ T max.  
R
max.  
I
D
3
2
Order codes  
STB10N60M2  
STD10N60M2  
STP10N60M2  
Package  
D²PAK  
DPAK  
2
1
DS  
J
DS(on)  
1
3
DPAK  
D²PAK  
650 V  
0.60 Ω  
7.5 A  
TAB  
TO-220  
•
•
•
•
Extremely low gate charge  
3
2
Excellent output capacitance (Coss) profile  
100% avalanche tested  
1
TO-220  
Zener-protected  
D(2, TAB)  
Applications  
G(1)  
•
Switching applications  
Description  
S(3)  
AM01476v1_tab  
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2  
technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices  
exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them  
suitable for the most demanding high-efficiency converters.  
Product status links  
STB10N60M2  
STD10N60M2  
STP10N60M2  
DS9703 - Rev 4 - January 2021  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.st.com  
1234567...27

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与STP10N60M2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP10N62K3 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO
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