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STP105N3LL

更新时间: 2024-09-15 14:58:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 797K
描述
N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装

STP105N3LL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:20 weeks
风险等级:2.26配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):150 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:175 °C峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):140 W
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:NO
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

STP105N3LL 数据手册

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STP105N3LL  
N-channel 30 V, 2.7 mΩ typ., 150 A, STripFET™ H6  
Power MOSFET in a TO-220 package  
Datasheet  
production data  
Features  
Order code  
VDS  
RDS(on) max.  
ID  
TAB  
STP105N3LL  
30 V  
3.5 m  
150 A  
Very low on-resistance  
Very low gate charge  
3
2
1
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power loss  
TO-220  
Applications  
Switching applications  
Figure 1. Internal schematic diagram  
Description  
'ꢅꢆꢇꢈ7$%ꢉ  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using the STripFET™ H6 technology,  
with a new trench gate structure. The resulting  
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all  
packages.  
*ꢅꢁꢉ  
6ꢅꢊꢉ  
$0ꢀꢁꢂꢃꢄYꢁ  
Table 1. Device summary  
Order code  
Marking  
P105N3LL  
Packages  
Packaging  
STP105N3LL  
TO-220  
Tube  
July 2015  
DocID023976 Rev 3  
1/13  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
 

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