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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP100NF03L-03
STP100NF03L-03 PDF预览

STP100NF03L-03

更新时间： 2024-09-08 22:06:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 395K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0026 W -100A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP100NF03L-03 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：1900 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP100NF03L-03 数据手册

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STB100NF03L-03 STP100NF03L-03  
STB100NF03L-03-1  
N-CHANNEL 30V - 0.0026 Ω -100A D²PAK/I²PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB100NF03L-03  
STP100NF03L-03  
STB100NF03L-03-01  
30 V  
30 V  
30 V  
<0.0032 Ω  
<0.0032 Ω  
<0.0032 Ω  
100 A  
100 A  
100 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0026 Ω  
DS  
3
3
2
1
1
LOW THRESHOLD DRIVE  
100% AVALANCHE TESTED  
LOGIC LEVEL DEVICE  
2
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
I PAK  
TO-262  
(Suffix “-1”)  
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
3
2
2
■
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
1
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R  
Gate- source Voltage  
= 20 kΩ)  
GS  
30  
V
DGR  
V
± 16  
100  
100  
400  
300  
2
V
GS  
I (1)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I (1)  
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
W/°C  
J
tot  
C
Derating Factor  
E
(2)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
1.9  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Current Limited by Package  
(2) Starting T = 25 C, I = 50A, V  
= 50V  
DD  
j
AR  
February 2003  
1/11  
.
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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