STI10N62K3

更新时间： 2024-09-17 12:26:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-channel 620 V, 0.68 Î© typ., 8.4 A SuperMESH3â¢

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STI10N62K3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	220 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	620 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.4 A
最大漏极电流 (ID)：	8.4 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI10N62K3 数据手册

STF10N62K3, STFI10N62K3,

STI10N62K3, STP10N62K3

N-channel 620 V, 0.68 Ω typ., 8.4 A SuperMESH3™

Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, I²PAK, TO-220 packages

Datasheet − production data

Features

R_DS(on)

max

Type

V_DSS

I_D

P_w

STF10N62K3

STFI10N62K3

STI10N62K3

STP10N62K3

8.4 A⁽¹⁾30 W

TO-220FP

I²PAKFP

620 V < 0.75 Ω

TAB

8.4 A

125 W

1. Limited by package

■ 100% avalanche tested

I²PAK

TO-220

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Improved diode reverse recovery

characteristics

'ꢀꢁꢂꢃ7$%ꢄ

■ Zener-protected

Applications

■ Switching applications

*ꢀꢅꢄ

Description

These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the

result of improvements applied to

STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology,

combined with a new optimized vertical structure.

These devices boast an extremely low on-

resistance, superior dynamic performance and

high avalanche capability, rendering them suitable

for the most demanding applications.

6ꢀꢆꢄ

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STF10N62K3

STFI10N62K3

STI10N62K3

STP10N62K3

10N62K3

TO-220FP

I²PAKFP

I²PAK

Tube

TO-220

September 2012

Doc ID 15640 Rev 4

1/17

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STI11NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 650V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
STI120NH03L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC co
STI12N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
STI12NM50N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Powe
STI13002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220
STI13003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| TO-220
STI13004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
STI13005	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220
STI13005-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3

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