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STI13005-1 PDF预览

STI13005-1

更新时间： 2024-11-26 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 219K
描述
3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3

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STI13005-1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：ROHS COMPLIANT, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STI13005-1 数据手册

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STI13005-1  
High voltage fast-switching NPN power transistor  
Preliminary data  
Features  
■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard  
IPAK package  
■ High voltage capability  
■ Low spread of dynamic parameters  
■ Very high switching speed  
3
2
1
Application  
IPAK  
■ Switch mode power supplies (AC-DC  
converters)  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
The device is manufactured using high voltage  
multi-epitaxial planar technology for high  
switching speeds and high voltage capability. It  
uses a cellular emitter structure with planar edge  
termination to enhance switching speeds while  
maintaining the wide RBSOA.  
Table 1.  
Order code  
STI13005-1  
Device summary  
Marking  
I13005  
Package  
Packaging  
IPAK  
Tube  
February 2010  
Doc ID 17147 Rev 1  
1/10  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
10  
1234567...10

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STI13005-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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