STI16NM50N

更新时间： 2024-11-23 03:30:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
18页	555K
描述
N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP

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STI16NM50N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.26 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI16NM50N 数据手册

STB16NM50N - STF/I16NM50N

STP16NM50N - STW16NM50N

N-channel 500 V - 0.21 Ω - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET

D²PAK - I²PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Type

I_D

STB16NM50N

STI16NM50N

STF16NM50N

STP16NM50N

STW16NM50N

550 V

0.26 Ω

15 A

15 A ⁽¹⁾

D²PAK

I²PAK

15 A

TO-247

15 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

TO-220FP

TO-220

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB16NM50N

STI16NM50N

STF16NM50N

STP16NM50N

STW16NM50N

B16NM50N

I16NM50N

F16NM50N

P16NM50N

W16NM50N

Tape and reel

Tube

I²PAK

TO-220FP

TO-220

Tube

TO-247

Tube

March 2008

Rev 2

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STI16NM50N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP16NM50N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Po
STB20NM50-1	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET

与STI16NM50N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI17770	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17771	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17772	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 500V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17773	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17774	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 450V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17775	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 500V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17776	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17777	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 450V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17778	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 500V V(BR)CEO \| TO-218AA
STI17NF25	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DP

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