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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
18页 | 500K | |
描述 | ||
N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 15.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STI16032 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AA | |
STI16034 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AA | |
STI16080 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AA | |
STI16081 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AA | |
STI16NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Po | |
STI17770 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 400V V(BR)CEO | TO-218AA | |
STI17771 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 400V V(BR)CEO | TO-218AA | |
STI17772 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 500V V(BR)CEO | TO-218AA | |
STI17773 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 400V V(BR)CEO | TO-218AA | |
STI17774 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 450V V(BR)CEO | TO-218AA |