STI12N65M5

更新时间： 2024-09-17 12:27:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
23页	1092K
描述
N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

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STI12N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A
最大漏极电流 (ID)：	8.5 A	最大漏源导通电阻：	0.43 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	34 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI12N65M5 数据手册

STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5

STP12N65M5, STU12N65M5

N-channel 650 V, 0.39 Ω, 8.5 A MDmesh™ V Power MOSFET

DPAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

Features

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Type

I_D

P_TOT

STD12N65M5

STF12N65M5

STI12N65M5

STP12N65M5

STU12N65M5

8.5 A 70 W

8.5 A⁽¹⁾25 W

IPAK

TO-220

710 V < 0.43 Ω 8.5 A 70 W

8.5 A 70 W

DPAK

8.5 A 70 W

1. Limited only by maximum temperature allowed.

■ Worldwide best R

* area

DS(on)

TO-220FP

I²PAK

■ Higher V

rating and high dv/dt capability

DSS

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

■ 100% avalanche tested

Figure 1.

Internal schematic diagram

Applications

$ꢅꢆꢇ

Switching applications

Description

'ꢅꢁꢇ

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢈꢇ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Packages

DPAK

Packaging

STD12N65M5

STF12N65M5

STI12N65M5

STP12N65M5

STU12N65M5

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

12N65M5

Tube

TO-220

IPAK

Tube

June 2011

Doc ID 15428 Rev 5

1/23

www.st.com

12 3 4 5 6 7...23

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STI12N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STU12N65M5	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
STI21N65M5	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 650 V, 0.150 Î©, 17 A MDmeshâ¢ V P

与STI12N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI12NM50N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Powe
STI13002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220
STI13003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| TO-220
STI13004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
STI13005	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220
STI13005-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3
STI13006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220
STI13007	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| TO-220
STI13008	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220
STI13009	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| TO-220

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