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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI12N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK |
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| STI12NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Powe |
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| STI13002 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220 |
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| STI13003 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220 |
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| STI13004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
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| STI13005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220 |
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| STI13005-1 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
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| STI13006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220 |
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| STI13007 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220 |
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| STI13008 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
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