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STGB10NB37LZ

更新时间： 2024-02-05 11:33:52
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火PC
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 10A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT

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STGB10NB37LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：180152
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name：D2PAK_STD_ST
Samacsys Released Date：2015-11-09 14:24:38Is Samacsys：N
其他特性：VOLTAGE CLAMPING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：375 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2.4 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：17800 ns标称接通时间 (ton)：860 ns
Base Number Matches：1

STGB10NB37LZ 数据手册

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STGB10NB37LZ  
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