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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | TO-251, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD9N10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.22ohm - 9A IPAK/DPAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD9N10L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-251AA |
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| STD9N10LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA |
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| STD9N10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD9N40M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道400 V、0.59 Ohm典型值、6 A MDmesh M2功率MOSFET，DP |
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| STD9N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STD9N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package |
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| STD9N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DPAK packa |
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| STD9N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.79 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，DP |
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| STD9N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
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