STD9N10-1

更新时间： 2024-02-13 19:30:40

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

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STD9N10-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	TO-251, IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD9N10-1 数据手册

STD9N10

STD9N10-1

N-CHANNEL 100V - 0.23 Ω - 9A DPAK/IPAK

POWER MOS TRANSISTOR

Table 1. General Features

Figure 1. Package

Type

DSS

DS(on)

< 0.27 Ω

STD9N10

STD9N10-1

100 V

9 A

FEATURES SUMMARY

■ TYPICAL R = 0.23 Ω

DS(on)

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100% AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW GATE CHARGE

IPAK

TO-251

DPAK

TO-252

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

Figure 2. Internal Schematic Diagram

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX "T4")

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

Table 2. Order Codes

Part Number

STD9N10T4

STD9N10-1

Marking

D9N10

Package

DPAK

Packaging

TAPE & REEL

TUBE

IPAK

REV. 2

May 2004

1/12

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD9N10LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-252AA
STD9N10T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR
STD9N40M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道400 V、0.59 Ohm典型值、6 A MDmesh M2功率MOSFET，DP
STD9N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET，
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