5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STD9N10L-1
STD9N10L-1 PDF预览

STD9N10L-1

更新时间： 2024-02-02 23:51:38
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-251AA

阅读下载

中文翻译

获取价格

STD9N10L-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：25 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.27 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD9N10L-1 数据手册

 浏览型号STD9N10L-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD9N10L-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD9N10L-1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD9N10L-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD9N10L-1的Datasheet PDF文件第6页 
STD9N10L  
N - CHANNEL 100V - 0.22Ω - 9A IPAK/DPAK  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD9N10L  
100 V  
< 0.27 Ω  
9 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.22 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dV/dt RUGGEDNESS  
3
3
2
1
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
■
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX "T4")  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
POWER MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCRONOUS RECTIFICATION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
100  
VDGR  
VGS  
ID  
100  
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
9
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
6.4  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
36  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
45  
0.3  
W
Derating Factor  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dV/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
7
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
April 2000  
123456

中文翻译

下载PDF

与STD9N10L-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD9N10LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA
STD9N10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR
STD9N40M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道400 V、0.59 Ohm典型值、6 A MDmesh M2功率MOSFET，DP
STD9N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET，
STD9N60M6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD9N65DM6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DPAK packa
STD9N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.79 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，DP
STD9N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，DP
STD9NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-2
STD9NM50N-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-2

与STD9N10L-1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证