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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD9NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.63 ohm, 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh ll Power MOSFET |
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| STD9NM60T4 | ETC |
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N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET |
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| STDA05 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, |
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| STDA05FR | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 7A, Silicon, |
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| STDA05HE | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, |
|
| STDA10 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8.5A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| STDA100 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8.5A, Silicon, |
|
| STDA100 | Vitec |
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100W Desktop Power Supply for I.T. Equipment |
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| STDA100FR | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 6.5A, Silicon, |
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| STDA100FRS | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 6.5A, Silicon, |
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