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STD9NM60

更新时间： 2024-01-23 08:34:30
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9页 339K
描述
N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET

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STD9NM60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：115 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.745 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD9NM60 数据手册

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STP9NM60  
STD9NM60 - STD9NM60-1  
N-CHANNEL 600V - 0.55Ω - 8.3A TO-220/DPAK/IPAK  
Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET  
TARGET DATA  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STP9NM60  
STD9NM60  
STD9NM60-1  
600 V < 0.60 Ω 8.3 A 100 W  
600 V < 0.60 Ω 8.3 A 100 W  
600 V < 0.60 Ω 8.3 A 100 W  
3
2
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.55 Ω  
DS  
1
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
IMPROVED ESD CAPABILITY  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
IPAK  
TO-220  
■
■
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTORING YIELDS  
3
1
DPAK  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar completition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increase  
the power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
P9NM60  
D9NM60  
D9NM60  
PACKAGE  
TO-220  
DPAK  
PACKAGING  
TUBE  
STP9NM60  
STD9NM60T4  
STD9NM60-1  
TAPE & REEL  
TUBE  
IPAK  
June 2003  
1/9  
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与STD9NM60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD9NM60-1 ETC

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 		N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET
STD9NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.63 ohm, 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh ll Power MOSFET
STD9NM60T4 ETC

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 		N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET
STDA05 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon,
STDA05FR SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 7A, Silicon,
STDA05HE SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon,
STDA10 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8.5A, 1000V V(RRM), Silicon,
STDA100 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8.5A, Silicon,
STDA100 Vitec

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 		100W Desktop Power Supply for I.T. Equipment
STDA100FR SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 6.5A, Silicon,

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