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STD110NH02L PDF预览

STD110NH02L

更新时间： 2024-09-12 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 499K
描述
N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET

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STD110NH02L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：900 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD110NH02L 数据手册

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STD110NH02L  
N-CHANNEL 24V - 0.0044 Ω - 80A DPAK  
STripFET™ III POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD110NH02L  
24 V  
< 0.005 Ω  
80 A(2)  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0044 Ω @ 10 V  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.0056 Ω @ 5 V  
DS  
R
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK  
DS(ON)  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
LOW THRESHOLD DEVICE  
3
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
DESCRIPTION  
The STD110NH02L utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is  
suitable fot the most demanding DC-DC converter  
application where high efficiency is to be achieved.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage Rating  
spike(1)  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
24  
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
24  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
80  
V
GS  
(2)  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
I
A
C
D
(2)  
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
I
80  
A
C
D
(3)  
I
Drain Current (pulsed)  
320  
125  
0.83  
900  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
mJ  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
September 2003  
1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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