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STD110NH02LT4

更新时间： 2024-11-24 04:01:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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15页	463K
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N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET

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STD110NH02LT4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD110NH02LT4 数据手册

STD110NH02L

N-channel 24V - 0.0044Ω - 80A - DPAK

STripFET™ III Power MOSFET

General features

V_DSSS

R_DS(on)

I_D

Type

STD110NH02L

24V

<0.0048Ω

80A⁽¹⁾

1. Value limited by wire bonding

■ R

* Qg industry’s benchmark

DS(on)

DPAK

■ Conduction losses reduced

■ Switching losses reduced

■ Low threshold device

Description

Internal schematic diagram

This device utilizes the latest advanced design

rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.

This is suitable fot the most demanding DC-DC

converter application where high efficiency is to

be achieved.

Applications

■ Switching application

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

STD110NH02LT4

D110NH02L

DPAK

Tape & reel

August 2006

Rev 7

1/15

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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