是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD11NM60N-1_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO |
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STD11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow |
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STD11NM60ND_10 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow |
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STD11NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
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STD120 | LITTELFUSE |
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This axial leaded strap product is designed to provide reliable, non-cycling protection fo |
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STD-1201 | VOLGEN |
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ADAPTER - 5W/10W |
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STD-12012T | VOLGEN |
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ADAPTER-18W |
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STD-12016T | VOLGEN |
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ADAPTER-18W |
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STD-1203 | VOLGEN |
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ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
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STD-1204 | VOLGEN |
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ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
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