STD11NM60ND

更新时间： 2024-09-28 06:14:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
19页	753K
描述
N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

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STD11NM60ND 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.69	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD11NM60ND 数据手册

STD11NM60ND, STF/I11NM60ND

STP11NM60ND, STU11NM60ND

N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET

I²PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

Features

Order codes V_DSS(@T_jmax) R_DS(on)max

I_D

STD11NM60ND

STF11NM60ND

STI11NM60ND

STP11NM60ND

STU11NM60ND

10 A

10 A⁽¹⁾

10 A

DPAK

I²PAK

650 V

< 0.45 Ω

10 A

IPAK

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ The worldwide best R

* area amongst the

DS(on)

fast recovery diode devices

TO-220FP

TO-220

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

Switching applications

$ꢅꢆꢇ

Description

The device is an N-channel FDmesh™ II Power

MOSFET that belongs to the second generation

of MDmesh™ technology. This revolutionary

Power MOSFET associates a new vertical

structure to the company's strip layout and

associates all advantages of reduced on-

resistance and fast switching with an intrinsic fast-

recovery body diode.It is therefore strongly

recommended for bridge topologies, in particular

ZVS phase-shift converters.

'ꢅꢁꢇ

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

DPAK

Packaging

STD11NM60ND

STF11NM60ND

STI11NM60ND

STP11NM60ND

STU11NM60ND

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

11NM60ND

Tube

TO-220

IPAK

Tube

October 2010

Doc ID 14625 Rev 2

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STD11NM60ND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD11NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFE
STB11NM60T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
STP11NM60FD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD11NM60ND_10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow
STD11NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.425 Î© typ., 11 A MDmeshâ
STD120	LITTELFUSE	获取价格	This axial leaded strap product is designed to provide reliable, non-cycling protection fo
STD-1201	VOLGEN	获取价格	ADAPTER - 5W/10W
STD-12012T	VOLGEN	获取价格	ADAPTER-18W
STD-12016T	VOLGEN	获取价格	ADAPTER-18W
STD-1203	VOLGEN	获取价格	ADAPTER - 36W / 48W/ 60W
STD-1204	VOLGEN	获取价格	ADAPTER - 36W / 48W/ 60W
STD-1205	VOLGEN	获取价格	ADAPTER - 36W / 48W/ 60W
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