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STB205L

更新时间： 2024-11-24 09:01:27

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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5页	266K
描述
PNP Silicon Transistor

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STB205L 数据手册

STB205L

PNP Silicon Transistor

PIN Connection

Descriptions

• Suitable for low voltage large current drivers

• Excellent h_FELinearity.

• Switching Application

Features

• High h_FE: h_FE=200~400

• Low collector saturation voltage.

: V_CE(sat)=-0.5V(MAX.)

TO -92L

1: Emitter 2 :Collector 3: Base

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STB

205

STB205L

TO-92L

YWW

STB205: DEVICE CODE, YWW(Y : Year code, WW : Weekly code)

Absolute Maximum Ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

-35

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-20

-5

A(DC)

A(Pulse)

Collector current

I_CP*

P_C

-10

Collector power dissipation

Junction temperature

T_J

150

-55~150

°C

Storage temperature range

T_stg

°C

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

Characteristic

Symbol

Typ.

Max

Unit

℃/W

Thermal resistance

R_th(J-a)

125.0

KSD-T0D010-001

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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