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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 396K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
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| STB20NK50Z_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH™ Powe |
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| STB20NK50Z-S | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
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| STB20NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
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| STB20NM50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
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| STB20NM50_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK |
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| STB20NM50-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
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| STB20NM50FD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩P |
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| STB20NM50FD_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.22 Ω, 20 A D2PAK, TO-220FP |
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| STB20NM50FD-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK F |
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