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STB20NM60D

更新时间: 2024-11-02 04:02:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 284K
描述
N-channel 600V - 0.26ヘ - 20A - D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET

STB20NM60D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:17 weeks风险等级:5.21
雪崩能效等级(Eas):700 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.29 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STB20NM60D 数据手册

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STB20NM60D  
N-channel 600V - 0.26- 20A - D2PAK  
FDmesh™ Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STB20NM60D  
600V  
<0.2920A 45W  
High dv/dt and avalanche capabilities  
100% Avalanche tested  
3
1
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
PAK  
Tight process control and high manufacturing  
yields  
Description  
Internal schematic diagram  
The FDmesh™ associates all advantages of  
reduced on-resistance and fast switching with an  
intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore  
strongly recommended for bridge topologies, in  
particular ZVS phase-shift converters.  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB20NM60D  
B20NM60D  
PAK  
Tape & reel  
June 2006  
Rev 1  
1/13  
www.st.com  
13  

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