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STB20PF75

更新时间： 2024-11-02 04:02:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 282K
描述
P-CHANNEL 75V - 0.10 з - 20A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB20PF75 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB20PF75 数据手册

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STB20PF75  
P-CHANNEL 75V - 0.10 Ω - 20A D²PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
TYPE  
DSS  
DS(on)  
D
STB20PF75  
75 V  
< 0.12 Ω  
20 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.10 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
TO-263  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
(Suffix “T4”)  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
MOTOR CONTROL  
■
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
75  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
75  
V
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
20  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
14  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
80  
A
DM  
P
tot  
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
W
C
Derating Factor  
0.53  
10  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
AS  
350  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and  
current has to be reversed  
(1) I ≤20A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 10 A, V = 30V  
j
D
DD  
March 2004  
1/9  
1234567...9

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与STB20PF75相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB20PF75TRL STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,75V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB
STB21-0-0 TE

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 		STD and STB Markers
STB21-0-1 TE

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 		STD and STB Markers
STB21-0-2 TE

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