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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB20NM60T4
STB20NM60T4 PDF预览

STB20NM60T4

更新时间： 2024-11-23 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 359K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET

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STB20NM60T4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：5.22Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：650 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB20NM60T4 数据手册

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STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60  
STB20NM60 - STB20NM60-1  
N-CHANNEL 600V - 0.25Ω - 20A TO-220/FP/D²/I²PAK/TO-247  
MDmesh™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STP20NM60  
STP20NM60FP  
STB20NM60  
STB20NM60-1  
STW20NM60  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.29 Ω  
< 0.29 Ω  
< 0.29 Ω  
< 0.29 Ω  
< 0.29 Ω  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
3
2
1
3
2
1
TO-220  
■ TYPICAL R (on) = 0.25 Ω  
TO-220FP  
DS  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
2
1
3
1
TO-247  
3
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
2
1
D²PAK  
DESCRIPTION  
I²PAK  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizon-  
tal layout. The resulting product has an  
outstanding low on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip tech-  
nique yields overall dynamic performance that is  
significantly better than that of similar competi-  
tion’s products.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increas-  
ing power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STP20NM60  
MARKING  
P20NM60  
P20NM60FP  
B20NM60  
B20NM60  
W20NM60  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
D²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
STP20NM60FP  
STB20NM60T4  
STB20NM60-1  
STW20NM60  
TUBE  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-247  
TUBE  
Rev.2  
February 2005  
1/15  
1234567...15

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STB20NM60T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB20NM60D STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,75V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB
STB21-0-0 TE

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 		STD and STB Markers
STB21-0-1 TE

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