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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 359K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.65 |
雪崩能效等级(Eas): | 650 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.29 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 192 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB20NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET | |
STB20NM60A-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FP | |
STB20NM60D | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.26ヘ - 20A - D2PAK FDmesh⑩ | |
STB20NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET | |
STB20PF75 | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 75V - 0.10 з - 20A DPAK STripFET⑩ | |
STB20PF75TRL | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,75V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB | |
STB21-0-0 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB21-0-1 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB21-0-2 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB21-0-3 | TE |
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STD and STB Markers |