是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB20NE06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB | |
STB20NE06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB | |
STB20NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO | |
STB20NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO | |
STB20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 | |
STB20NK50Z_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH™ Powe | |
STB20NK50Z-S | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 | |
STB20NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 | |
STB20NM50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET | |
STB20NM50_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK |