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ST13003D-K

更新时间： 2024-09-16 06:14:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
8页 106K
描述
High voltage fast-switching NPN power transistor

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ST13003D-K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.94Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ST13003D-K 数据手册

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ST13003D-K  
High voltage fast-switching NPN power transistor  
Features  
■ High voltage capability  
■ Low spread of dynamic parameters  
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation  
■ Very high switching speed  
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode  
1
Applications  
2
3
■ Electronic ballast for fluorescent lighting  
SOT-32  
Description  
The device is manufactured using high voltage  
multi-epitaxial planar technology for high  
switching speeds and medium voltage capability.  
It uses a Cellular Emitter structure with planar  
edge termination to enhance switching speeds  
while maintaining the wide RBSOA.  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
The device is designed for use in lighting  
applications.  
Table 1.  
Order code  
ST13003D-K  
Device summary  
Marking  
Package  
SOT-32  
Packaging  
13003D  
cardboard box  
November 2007  
Rev 1  
1/8  
www.st.com  
8
12345678

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ST13003D-K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ST13003-K STMICROELECTRONICS

完全替代

 High voltage fast-switching NPN power transistor
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