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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 18 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C5 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ7414EN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SQ7415AEN | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7415AEN-T1_GE3 | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7415AEN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7415AENW | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7415AENW-T1_GE3 | VISHAY |
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MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 |
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| SQ7415CENW | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ7415EN | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ7415EN-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ7415EN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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