5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SQ9945AEY-T1-E3
SQ9945AEY-T1-E3 PDF预览

SQ9945AEY-T1-E3

更新时间： 2024-09-24 21:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 299K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SQ9945AEY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SQ9945AEY-T1-E3 数据手册

 浏览型号SQ9945AEY-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ9945AEY-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ9945AEY-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ9945AEY-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页 
Si9945AEY/SQ9945AEY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFETs  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
ꢀ.7  
•
Maximum Junction Temperature:  
175 °C Rated  
Available  
0.080 at VGS = 10 V  
0.100 at VGS = 4.5 V  
60  
RoHS*  
ꢀ.4  
COMPLIANT  
D
2
D
1
SO-8  
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
ꢀ
4
8
7
6
5
1
G
1
S
2
2
G
G
1
G
2
Top View  
Ordering Information:  
Si9945AEY-T1  
SQ9945AEY-T1 (Automotive AECQ101 Qualified)  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
For lead (Pb)-free, add -Eꢀ to ordering number  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ꢀ.7  
ꢀ.2  
25  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.4  
1.7  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
Unit  
t ≤ 10 sec  
62.5  
Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
Steady State  
9ꢀ  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 70758  
S-61010-Rev. D, 12-Jun-06  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

SQ9945AEY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9945AEY-T1 VISHAY

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9945AEY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
STS4DNF60 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET

与SQ9945AEY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ9945BEY VISHAY

获取价格

 		Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C
SQ9945BEY_13 VISHAY

获取价格

 		Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C
SQ9945BEY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C
SQ9945CEY VISHAY

获取价格

 		Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C M
SQA300CEJW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQA310CEJW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQA36A TI

获取价格

 		Analog System Monitor and Controller
SQA401CEJW VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQA403CEJW VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQA403EJ VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

与SQ9945AEY-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证