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SPP77N06S2-12

更新时间： 2024-11-29 22:21:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPP77N06S2-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	77 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP77N06S2-12 数据手册

SPP77N06S2-12

SPB77N06S2-12



OptiMOS Power-Transistor

Product Summary

Feature

• N-Channel

mΩ

DS(on)

• Enhancement mode

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

P- TO263 -3-2

P- TO220 -3-1

• dv/dt rated

Type

Package

Ordering Code

Marking

2N0612

SPP77N06S2-12

P- TO220 -3-1 Q67060-S6029

P- TO263 -3-2 Q67060-S6030

SPB77N06S2-12

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

320

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

280

Avalanche energy, single pulse

I =77A, V =25V, R =25Ω

Repetitive avalanche energy, limited by T

Reverse diode dv/dt

jmax

dv/dt

kV/µs

I =77A, V =44V, di/dt=200A/µs, T =175°C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

158

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +175

55/175/56

stg

Page 1

2003-05-09

12 3 4 5 6 7 8

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