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SPP80N03S2L-03 PDF预览

SPP80N03S2L-03

更新时间： 2024-11-29 22:12:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPP80N03S2L-03 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：810 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP80N03S2L-03 数据手册

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SPI80N03S2L-03  
SPP80N03S2L-03,SPB80N03S2L-03  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
R
I
30  
2.8  
80  
V
DS  
• N-Channel  
max. SMD version  
mΩ  
A
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
D
P- TO262 -3-1  
P- TO263 -3-2  
P- TO220 -3-1  
• Excellent Gate Charge x R  
DS(on)  
product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• 175°C operating temperature  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
2N03L03  
2N03L03  
2N03L03  
SPP80N03S2L-03 P- TO220 -3-1 Q67040-S4248  
SPB80N03S2L-03 P- TO263 -3-2 Q67040-S4259  
SPI80N03S2L-03  
P- TO262 -3-1 Q67042-S4078  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
C
80  
80  
320  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
810  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 A , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
30  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
AR  
dv/dt  
kV/µs  
I =80A, V =24V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
300  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-09  
12345678

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SPP80N03S2L-03 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP80NF03L-04 STMICROELECTRONICS

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