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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.19 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD08N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPD08N50C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
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| SPD08N50C3AT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SPD08N50C3BT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SPD08N50C3BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPD08P05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| SPD08P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| SPD08P06P G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPD08P06P_08 | INFINEON |
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SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel |
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| SPD08P06PG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel |
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