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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPB10N10
SPB10N10 PDF预览

SPB10N10

更新时间： 2024-09-27 22:07:55
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 486K
描述
SIPMOS Power-Transistor

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SPB10N10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.87
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.3 A最大漏极电流 (ID)：10.3 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：220
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：41.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPB10N10 数据手册

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Preliminary data  
SPI10N10  
SPP10N10,SPB10N10  
SIPMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
100  
170  
10.3  
V
m
A
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
I
D
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
Type  
SPP10N10  
Package  
Ordering Code  
Marking  
10N10  
10N10  
10N10  
P-TO220-3-1 Q67042-S4118  
P-TO263-3-2 Q67042-S4119  
P-TO262-3-1 Q67042-S4120  
SPB10N10  
SPI10N10  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
10.3  
7.8  
C
T =100°C  
C
41.2  
60  
6
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =10.3 A , V =25V, R =25  
D
DD  
GS  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I =10.3A, V =80V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
W
±20  
50  
GS  
P
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2002-01-31  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SPB10N10LG INFINEON

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