5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB11N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPB11N60S5_05 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge |
|
| SPB11N60S5-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPB1205 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB1205100YZF | SUPERWORLD |
获取价格 |
Length (mm): 12.50 | Width (mm): 12.50 | Height (mm): 6.00 | SPQ (reel) : 600 Inductors wi |
|
| SPB1205100YZF-11 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB1205100YZF-12 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB1205100YZF-13 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB1205100YZF-14 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
| SPB1205100YZF-15 | SUPERWORLD |
获取价格 |
SMD POWER INDUCTORS |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
